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1

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能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢?/p>

_________

,引入有效质量的意义

在于其反映了晶体材料?/p>

_________

的作用?/p>

(二阶导数,内部势场?/p>

 

 

2

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半导体导带中的电子浓度取决于导带?/p>

_________

(即量子态按能量如何分布)和

 

 

 

 

 

_________

(即电子在不同能量的量子态上如何分布?/p>

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(状态密度,费米分布函数?/p>

 

 

3

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两种不同半导体接触后

,  

费米能级较高的半导体界面一侧带

________

电,

达到热平衡后

两者的费米能级

________

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(正,相等)

 

 

4

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半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央,

其导带极小值位?/p>

________

方向

上距布里渊区边界?/p>

0.85

倍处,因此属?/p>

_________

半导体?/p>

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[100]

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间接带隙?/p>

 

 

5

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间隙原子和空位成对出现的点缺陷称?/p>

_________

;形成原子空位而无间隙原子的点?/p>

陷称?/p>

________

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(弗仑克耳缺陷,肖特基缺陷)

 

 

 

6

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在一定温度下,与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为

_________

,高于费米能

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能级处的占据概率?/p>

_________

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1/2

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1/1+exp(2)

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7

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从能带角度来看,锗、硅属于

_________

半导体,而砷化稼属于

_________

半导体,后?/p>

有利于光子的吸收和发射?/p>

(间接带隙,直接带隙?/p>

 

 

8

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通常把服?/p>

_________

的电子系统称为非简并性系统,

服从

_________

的电子系统称为简

并性系统?/p>

(玻尔兹曼分布,费米分布?/p>

 

 

9. 

对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与

_________

有关?/p>

而对于不同的?/p>

导体材料其浓度积在一定的温度下将取决?/p>

_________

的大小?/p>

(温度,禁带宽度?/p>

 

 

10. 

半导体的晶格结构式多种多样的,常见的

Ge

?/p>

Si

材料,其原子均通过共价键四面体?/p>

互结合,

属于

________

结构?/p>

?/p>

Ge

?/p>

Si

晶格结构类似?/p>

两种不同元素形成的化合物半导?/p>

通过共价键四面体还可以形?/p>

_________

和纤锌矿等两种晶格结构?/p>

(金刚石,闪锌矿?/p>

 

 

11.

 

如果电子从价带顶跃迁到导带底时波?/p>

k

不发生变化,则具有这种能带结构的半导体称

?/p>

_________

禁带半导体,否则称为

_________

禁带半导体?/p>

(直接,间接?/p>

 

 

12. 

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_________

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  _________ 

、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射?/p>

(电离杂质的散射,晶格振动的散射?/p>

 

 

13. 

 

半导体中的载流子复合可以有很多途径,主要有两大类:

_________

的直接复合和通过

禁带内的

_________

进行复合?/p>

(电子和空穴,复合中心)

 

 

 

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1

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能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢?/p>

_________

,引入有效质量的意义

在于其反映了晶体材料?/p>

_________

的作用?/p>

(二阶导数,内部势场?/p>

 

 

2

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半导体导带中的电子浓度取决于导带?/p>

_________

(即量子态按能量如何分布)和

 

 

 

 

 

_________

(即电子在不同能量的量子态上如何分布?/p>

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(状态密度,费米分布函数?/p>

 

 

3

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两种不同半导体接触后

,  

费米能级较高的半导体界面一侧带

________

电,

达到热平衡后

两者的费米能级

________

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(正,相等)

 

 

4

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半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央,

其导带极小值位?/p>

________

方向

上距布里渊区边界?/p>

0.85

倍处,因此属?/p>

_________

半导体?/p>

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[100]

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间隙原子和空位成对出现的点缺陷称?/p>

_________

;形成原子空位而无间隙原子的点?/p>

陷称?/p>

________

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(弗仑克耳缺陷,肖特基缺陷)

 

 

 

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在一定温度下,与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为

_________

,高于费米能

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_________

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1/2

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1/1+exp(2)

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7

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从能带角度来看,锗、硅属于

_________

半导体,而砷化稼属于

_________

半导体,后?/p>

有利于光子的吸收和发射?/p>

(间接带隙,直接带隙?/p>

 

 

8

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通常把服?/p>

_________

的电子系统称为非简并性系统,

服从

_________

的电子系统称为简

并性系统?/p>

(玻尔兹曼分布,费米分布?/p>

 

 

9. 

对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与

_________

有关?/p>

而对于不同的?/p>

导体材料其浓度积在一定的温度下将取决?/p>

_________

的大小?/p>

(温度,禁带宽度?/p>

 

 

10. 

半导体的晶格结构式多种多样的,常见的

Ge

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Si

材料,其原子均通过共价键四面体?/p>

互结合,

属于

________

结构?/p>

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Ge

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Si

晶格结构类似?/p>

两种不同元素形成的化合物半导?/p>

通过共价键四面体还可以形?/p>

_________

和纤锌矿等两种晶格结构?/p>

(金刚石,闪锌矿?/p>

 

 

11.

 

如果电子从价带顶跃迁到导带底时波?/p>

k

不发生变化,则具有这种能带结构的半导体称

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_________

禁带半导体,否则称为

_________

禁带半导体?/p>

(直接,间接?/p>

 

 

12. 

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  _________ 

、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射?/p>

(电离杂质的散射,晶格振动的散射?/p>

 

 

13. 

 

半导体中的载流子复合可以有很多途径,主要有两大类:

_________

的直接复合和通过

禁带内的

_________

进行复合?/p>

(电子和空穴,复合中心)

 

 

 

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能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢?/p>

_________

,引入有效质量的意义

在于其反映了晶体材料?/p>

_________

的作用?/p>

(二阶导数,内部势场?/p>

 

 

2

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半导体导带中的电子浓度取决于导带?/p>

_________

(即量子态按能量如何分布)和

 

 

 

 

 

_________

(即电子在不同能量的量子态上如何分布?/p>

?/p>

(状态密度,费米分布函数?/p>

 

 

3

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两种不同半导体接触后

,  

费米能级较高的半导体界面一侧带

________

电,

达到热平衡后

两者的费米能级

________

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(正,相等)

 

 

4

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半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央,

其导带极小值位?/p>

________

方向

上距布里渊区边界?/p>

0.85

倍处,因此属?/p>

_________

半导体?/p>

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[100]

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间接带隙?/p>

 

 

5

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间隙原子和空位成对出现的点缺陷称?/p>

_________

;形成原子空位而无间隙原子的点?/p>

陷称?/p>

________

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(弗仑克耳缺陷,肖特基缺陷)

 

 

 

6

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在一定温度下,与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为

_________

,高于费米能

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2kT

能级处的占据概率?/p>

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1/2

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1/1+exp(2)

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7

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从能带角度来看,锗、硅属于

_________

半导体,而砷化稼属于

_________

半导体,后?/p>

有利于光子的吸收和发射?/p>

(间接带隙,直接带隙?/p>

 

 

8

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通常把服?/p>

_________

的电子系统称为非简并性系统,

服从

_________

的电子系统称为简

并性系统?/p>

(玻尔兹曼分布,费米分布?/p>

 

 

9. 

对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与

_________

有关?/p>

而对于不同的?/p>

导体材料其浓度积在一定的温度下将取决?/p>

_________

的大小?/p>

(温度,禁带宽度?/p>

 

 

10. 

半导体的晶格结构式多种多样的,常见的

Ge

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Si

材料,其原子均通过共价键四面体?/p>

互结合,

属于

________

结构?/p>

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Ge

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Si

晶格结构类似?/p>

两种不同元素形成的化合物半导?/p>

通过共价键四面体还可以形?/p>

_________

和纤锌矿等两种晶格结构?/p>

(金刚石,闪锌矿?/p>

 

 

11.

 

如果电子从价带顶跃迁到导带底时波?/p>

k

不发生变化,则具有这种能带结构的半导体称

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_________

禁带半导体,否则称为

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禁带半导体?/p>

(直接,间接?/p>

 

 

12. 

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、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射?/p>

(电离杂质的散射,晶格振动的散射?/p>

 

 

13. 

 

半导体中的载流子复合可以有很多途径,主要有两大类:

_________

的直接复合和通过

禁带内的

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进行复合?/p>

(电子和空穴,复合中心)

 

 

 

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半导体物理学题库 - 百度文库
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能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢?/p>

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,引入有效质量的意义

在于其反映了晶体材料?/p>

_________

的作用?/p>

(二阶导数,内部势场?/p>

 

 

2

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半导体导带中的电子浓度取决于导带?/p>

_________

(即量子态按能量如何分布)和

 

 

 

 

 

_________

(即电子在不同能量的量子态上如何分布?/p>

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(状态密度,费米分布函数?/p>

 

 

3

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两种不同半导体接触后

,  

费米能级较高的半导体界面一侧带

________

电,

达到热平衡后

两者的费米能级

________

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(正,相等)

 

 

4

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半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央,

其导带极小值位?/p>

________

方向

上距布里渊区边界?/p>

0.85

倍处,因此属?/p>

_________

半导体?/p>

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[100]

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间接带隙?/p>

 

 

5

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间隙原子和空位成对出现的点缺陷称?/p>

_________

;形成原子空位而无间隙原子的点?/p>

陷称?/p>

________

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(弗仑克耳缺陷,肖特基缺陷)

 

 

 

6

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在一定温度下,与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为

_________

,高于费米能

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2kT

能级处的占据概率?/p>

_________

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1/2

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1/1+exp(2)

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7

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从能带角度来看,锗、硅属于

_________

半导体,而砷化稼属于

_________

半导体,后?/p>

有利于光子的吸收和发射?/p>

(间接带隙,直接带隙?/p>

 

 

8

?/p>

 

通常把服?/p>

_________

的电子系统称为非简并性系统,

服从

_________

的电子系统称为简

并性系统?/p>

(玻尔兹曼分布,费米分布?/p>

 

 

9. 

对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与

_________

有关?/p>

而对于不同的?/p>

导体材料其浓度积在一定的温度下将取决?/p>

_________

的大小?/p>

(温度,禁带宽度?/p>

 

 

10. 

半导体的晶格结构式多种多样的,常见的

Ge

?/p>

Si

材料,其原子均通过共价键四面体?/p>

互结合,

属于

________

结构?/p>

?/p>

Ge

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Si

晶格结构类似?/p>

两种不同元素形成的化合物半导?/p>

通过共价键四面体还可以形?/p>

_________

和纤锌矿等两种晶格结构?/p>

(金刚石,闪锌矿?/p>

 

 

11.

 

如果电子从价带顶跃迁到导带底时波?/p>

k

不发生变化,则具有这种能带结构的半导体称

?/p>

_________

禁带半导体,否则称为

_________

禁带半导体?/p>

(直接,间接?/p>

 

 

12. 

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、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射?/p>

(电离杂质的散射,晶格振动的散射?/p>

 

 

13. 

 

半导体中的载流子复合可以有很多途径,主要有两大类:

_________

的直接复合和通过

禁带内的

_________

进行复合?/p>

(电子和空穴,复合中心)

 

 

 



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