内容发布更新时间 : 2025/6/24 5:59:09星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
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和 13 条地址线。用它组成64KB的ROM存储区共需 8 片2764芯片。
5.3 解：
双译码方式使得地址译码器的输出线的数目大为减少,使得芯片设计得时候复杂度就低了。
地址线A9～A0
4根数据线I/O4～I/O1 片选CS* 读写WE*
5.4 解：
假想的RAM有12根地址线、4根数据线
片选端CS*或CE*：有效时，可以对该芯片进行读写操作,通过对系统高位地址线的译码来选中各个存储芯片
输出OE*：控制读操作。有效时，芯片内数据输出，该控制端对应系统的读控制线MEMR*(MRDC*)
写WE*：控制写操作。有效时，数据进入芯片中，该控制端对应系统的写控制线MEMW*(MWTC*)
5.5 解：
位片结构：每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位。（4116） 字片结构：每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储多位。（2114）
5.6 解： SRAM DRAM NVRAM
组成单元 触发器 极间电容 带微型电池
速度 快 慢 慢
集成度 低 高 低
应用 小容量系统 大容量系统 小容量非易失
掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改
EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程
EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在 线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除
5.7解：
位扩充——存储器芯片数据位数小于主机数据线数时，利用多个存储器芯片在数据“位”方向的扩充；
参考
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地址扩充（字扩充）——当一个存储器芯片不能满足系统存储容量时，利用多个存储器芯片在“地址”方向的扩充
组成32KB存储空间，用SRAM 2114（1K×4）需要64个芯片； 组成32KB存储空间，用DRAM 4116（16K×1）需要16个芯片； 它们都需要进行位扩充和地址扩充
5.8解：
片选信号说明该存储器芯片是否被选中正常工作，设置它可以比较方便地实现多个存储器芯片组成大容量的存储空间
存储器片选信号通常与CPU地址总线的高位地址线相关联，可以采用“全译码”、“部分译码”、“线选译码”方式 采用全译码方式可以避免地址重复 采用部分或线选译码可以节省译码硬件
5.9解： 24＝16
5.10 解：
5.11解:
参考
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5.12 解：
5.13解:
5.14 解：
动态随机存取存储器 (DRAM) 的存储单元电路 动态存储单元是由 MOS 管的栅极电容 C 和门控管组成的。数据以电荷的形式存储在栅极电容上，电容 上的电压高表示存储数据 1 ；电容没有储存电荷，电压为 0 ，表明存储数据 0 。因存在漏电，使电容 存储的信息不能长久保持，为防止信息丢失，就必须定时地给电容补充电荷，这种操作称为 “ 刷新 ”