内容发布更新时间 : 2024/5/18 13:25:04星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

第三章课后习题参考答案

1． 有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问： （1） 该存储器能存储多少个字节的信息？

（2） 如果存储器由512K×8位SRAM芯片组成，需要多少芯片？ （3） 需要多少位地址作芯片选择？

解：（1）∵ 220= 1M， ∴ 该存储器能存储的信息为：1M×32/8=4MB （2）（1024K/512K）×（32/8）= 8（片） （3） 需要1位地址作为芯片选择。

3． 用16K×8位的DRAM芯片组成64K×32位存储器，要求： (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。

(2) 设DRAM芯片存储体结构为128行，每行为128×8个存储元。如单元刷新间隔不超过2ms，存储器读/写周期为0.5μS, CPU在1μS内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？ 解：（1）组成64K×32位存储器需存储芯片数为 N=（64K/16K）×（32位/8位）=16（片）

每4片组成16K×32位的存储区，有A13-A0作为片内地址，用A15 A14经2：4译

码器产生片选信号示：

，逻辑框图如下所

（2）根据已知条件，CPU在1us内至少访存一次，而整个存储器的平均读/写周期为0.5us，如果采用集中刷新，有64us的死时间，肯定不行； 所以采用分散式刷新方式：

设16K×8位存储芯片的阵列结构为128行×128列，按行刷新，刷新周期T=2ms，则分散式刷新的间隔时间为：

t=2ms/128=15.6(?s) 取存储周期的整数倍15.5?s(0.5的整数倍) 则两次刷新的最大时间间隔发生的示意图如下

可见，两次刷新的最大时间间隔为tMAX

tMAX＝15.5×2－0.5＝30.5 (μS)

对全部存储单元刷新一遍所需时间为t R

t R＝0.5×128=64 (μS)

4．有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位DRAM芯片构成。问： (1) 总共需要多少DRAM芯片？ (2) 设计此存储体组成框图。 (3) 设DRAM芯片存储体结构为512行，每行为256×8个存储元。采用分散式刷新方式，如单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？ 解：（1）总共需要DRAM芯片数为： N=（1024K/128K）×（32位/8位）=32（片）

（2）此存储体组成框图

(3)如果选择一个行地址进行刷新，刷新地址为A0-A8，因此这一行上的256×8个存储元同时进行刷新，即在8ms内进行512个周期。在8ms中进行512次刷新操作，按分散刷新方式8ms/512 = 15.5us刷新一次。