内容发布更新时间 : 2024/5/12 8:48:10星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

64、N沟道MOSFET的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中的载流子是（ ）。

65、P沟道MOSFET的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）

型半导体，沟道中的载流子是（ ）。

66、当VGS?V，形成连通（ ）区T时，栅下的硅表面发生（ ）

和（ ）区的导电沟道，在VDS的作用下产生漏极电流。 67、N沟道MOSFET中，VGS越大，则沟道中的电子就越（ ），沟

道电阻就越（ ），漏极电流就越（ ）。

68、在N沟道MOSFET中，VT?0的称为增强型，当VGS?0时

MOSFET处于（ ）状态；VT?0的称为耗尽型，当VGS?0时MOSFET处于（ ）状态。

69、由于栅氧化层中通常带（ ）电荷，所以（ ）型区比（ ）型

区更容易发生反型。

70、要提高N沟道MOSFET的阈电压VT ，应使衬底掺杂浓度NA

（ ），使栅氧化层厚度Tox（ ）。

71、N沟道MOSFET饱和漏源电压VDsat的表达式是（ ）。

当VDS?VDsat时，MOSFET进入（ ）区，漏极电流随VDS的增加而（ ）。

72、由于电子的迁移率?n比空穴的迁移率?p（ ），所以在其它条件

相同时，（ ）沟道MOSFET的IDsat比（ ）沟道MOSFET的大。为了使两种MOSFET的IDsat相同，应当使N沟道MOSFET的沟道宽度（ ）P沟道MOSFET的。

73、当N沟道MOSFET的VGS?VT时，MOSFET（ ）导电，这

称为（ ）导电。

74、对于一般的MOSFET，当沟道长度加倍，而其它尺寸、掺杂浓

VT（ ）度、偏置条件等都不变时，其下列参数发生什么变化：、

tasDI（ ）、Ron（ ）、gm（ ）。

75、由于源、漏区的掺杂浓度（ ）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET

源、漏PN结的耗尽区主要向（ ）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（ ）。 76、MOSFET的跨导gm的定义是（ ），它反映了（ ）

对（ ）的控制能力。

77、为提高跨导gm的截止角频率?gm，应当（ ）?，（ ）L ，

（ ）VGS。

78、阈电压VT的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，VT变（ ）。 79、在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（ ），

而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（ ）。

80、为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的

沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（ ），栅氧化层厚度应（ ），源、漏区结深应（ ），衬底掺杂浓度应（ ）。

二、问答题

23、画出MOSFET的结构图和输出特性曲线图，并简要叙述MOSFET

的工作原理。

24、什么是MOSFET的阈电压VT？写出VT的表达式，并讨论影响

VT的各种因素。

25、什么是MOSFET的衬底偏置效应？

26、什么是有效沟道长度调制效应？如何抑制有效沟道长度调制效应？

27、什么是MOSFET的跨导gm？写出gm的表达式，并讨论提高gm的措施。

28、提高MOSFET的最高工作频率ft的措施是什么？ 29、什么是MOSFET的短沟道效应？ 30、什么是MOSFET的按比例缩小法则？ 计算题

15?33、有一个P沟道MOSFET的衬底掺杂浓度为ND?1.5?10cm，18?3另一个N沟道MOSFET的衬底掺杂浓度为NA?1.5?10cm。试

分别求这两个MOSFET的衬底费米势，并将这两个衬底费米势之和与上题的Vbi相比较。

23、在NA = 1015cm-3的P型硅衬底上制作Al栅N沟道MOSFET，栅氧化层厚度为50nm，栅氧化层中正电荷数目的面密度为1011cm-2，求该MOSFET的阈电压VT之值。

24、某处于饱和区的N沟道MOSFET当VGS = 3V时测得IDsat = 1mA ，当VGS = 4V时测得IDsat = 4mA，求该管的VT 与β之值。 25、某N沟道MOSFET的VT = 1V,β= 4×10-3AV-2，求当VGS = 6V，