内容发布更新时间 : 2024/5/20 3:07:24星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
第一部分
（共6题，选作4题，每题15分，共计60分；如多做，按前4题计分）
1. 从成键的角度阐述 Ⅲ-Ⅴ 族和 Ⅱ-Ⅵ 族半导体为什么可以形成同一种结构:闪锌矿结构。
2. 请导出一维双原子链的色散关系，并讨论在长波极限时光学波和声学波的原子振动特点。
3. 从声子的概念出发，推导并解释为什么在一般晶体中的低温晶格热容量和热导率满足T3关系。
4. 设电子在一维弱周期势场V(x)中运动，其中V(x)= V(x+a)，按微扰论求出k=±π/a处的能隙。
5. 假设有一个理想的单层石墨片，其晶格振动有两个线性色散声学支和一个平方色散的声学支，分别是ω=c1k，ω=c2k，ω=c3k（其中c1，c2和c3(π/a)是同一量级的量，a是晶格常数）。
1）试从Debye模型出发讨论这种晶体的低温声子比热的温度依赖关系，并作图定性表示其函数行为；
2）已知石墨片中的每一个碳原子贡献一个电子，试定性讨论电子在k空间的填充情况及其对低温比热的贡献情况。
6. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度，写出共晶和包晶反应式。 第二部分
（共9题，选做5题，每题8分，总计40分；如多做，按前5题计分）
1. 从导电载流子的起源来看，有几种半导体？ 2. 举出3种元激发，并加以简单说明。
3. 固体中存在哪几种抗磁性？铁磁性和反铁磁性是怎样形成的？铁磁和反铁磁材料在低温和高温下的磁化有什么特点？
4. 简述固体光吸收过程的本证吸收、激子吸收及自由载流子吸收的特点，用光吸收的实验如何确定半导体的带隙宽度？
5. 利用费米子统计和自由电子气体模型说明低温下的电子比热满足T线性关系。
6. 超导体的正常态和超导态的吉布斯自由能的差为μ0Hc2(T)，这里Hc是超导体的临界磁场，说明在无磁场时的超导相变是二级相变，而有磁场时的相变为一级相变。
7. 什么是霍耳效应？何时会出现量子霍耳效应？
8. 假设一体心立方化合物的点阵常数为a，写出前5条衍射线的晶面间距d值。 9. 简述晶体中的各种缺陷。
作者: zyt_12 发布日期: 2006-07-11 1. 请解释下列名词
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 2. 试推导体心格子的消光规律
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度
4. 简述相图在晶体生长中的应用 5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) （2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) （3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） （4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） （5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分）
作者: zxc1111bj 发布日期: 2006-07-13 请将05，06年的贴出来。 1998-2004年大多数人已有了。 谢谢了！
作者: zyt_12 发布日期: 2006-07-13 （每题20分，任选5题，也可全做） 1. 请解释下列名词
（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 2. 试推导一种底心格子的消光规律 3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法
4. 简述相图在晶体生长中的应用 5. 请简述晶体中的主要缺陷
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) （2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) （3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） （4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） （5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分）
作者: zyt_12 发布日期: 2006-07-13 第一部分：
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。）
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. 2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？ 3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ，
? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线；? ? 画出其态密度随能量变化的示意图。
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。
6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。
第二部分：
（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。）
1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。
3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？