内容发布更新时间 : 2024/5/18 22:50:57星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

表面泄漏或屏蔽不良引起正接线测量介质损耗减小的分析

（泛华电子）

用末端屏蔽法测量电磁式PT、正接线测量CT或变压器套管，有时会出现介损极小或负值的现象，这主要是绝缘受潮、表面泄漏或屏蔽不良引起的，可分析如下：

示意图

CX：试品

C1：高压端对瓷套的杂散电容 C2：低压端对瓷套的杂散电容 R：瓷套表面泄漏对地电阻 1：为试验电压 2：为仪器输入

这样，C1、C2、R形成T形网络，由于C1和R微分移相作用，使通过C2的电流超前，而使介损减小。设1为外加电压U、2接地电位，流过2的电流为：

等效电路图

介质损耗因数为实部电流与虚部电流之比，由于第一项为负值，故介损因数减小。

以CX=120pF，C1=1pF，C2=0.1pF，R=1000MΩ，CX无介损，按上式计算，T形网络引起的附加介损为：-0.025%

同理， 检修用脚手架及包装箱引起正接线测量介质损耗减小：试品对包装箱形成杂散电容，也形成T型网络干扰。

解决方法：

1、擦干净瓷套表面的脏污。

2、在阳光下曝晒试品或加热烤干瓷套 ，变压器套管吹干中间三裙。 3、高压线尽量水平拉远，不要贴近瓷套表面 。

4、改用末端加压法或常规法测量电磁式PT。

5、新设备吊装前试验时，一定要拆掉包装箱和脚手架，移开木梯，解开绳套。做变压器套管时一定要放在套管架上试验，不能斜靠在墙上或躺放在地上。

为什么升压显示不到10kV--仪器防\容升效应\电压自校正技术的介绍

（泛华电子）

AI-6000介损测试仪在升压测量时，尤其是测量大容量试品（>1000P，如变压器试品），用户有时看到升不到10kV（如9.8kV、9.5kV）的现象，而测量结束后打印的测量电压已到10kV，这就是仪器启动了防“容升”电压自校正技术。

仪器内部升压变压器(L)和试品电容(C)，形成了一个LC回路，回路内电压会抬高，这就是“容升效应”。由于“容升效应”造成回路电压抬高，就使试品和仪器的工作电压>10kV，易造成绝缘击穿或参数变化，造成仪器损坏或测量结果误差。仪器自动跟踪输出电压和回路电压，进行准确升压控制，对试品和仪器起到了有效的保护作用。

在CVT自激法做介损试验时“容升”现象更明显，由于CVT下节耦合电容的容量很大（>4万P），在二次侧升几伏电压，一次侧就能达到上千伏。一定要严格监测一次侧（A点）电压小于3kV，二次侧电流小于6A。所以AI-6000C、D两个型号在CVT测量时提供了高压电压、高压电流、低压电压和低压电流四个保护限制，根据这四个保护限制，AI-6000准确调制电压，确保试验仪器和设备的安全。

用AI-6000D做不拆高压引线的CVT自激法测量试验及电位

（泛华电子）

用AI-6000D做CVT自激法测量非常方便，可按下图接线。如果C1是单节电容，母线不能接地；如果C1是多节电容，高压引线可不拆，母线也可接地，C11和C12可用常规正反接线测量，C13和C2用自激法测量。

一、接线方法如下图：

二、测量过程及电位

CVT自激法测量中，仪器先测量C13，然后自动倒线测量C2，并自动校准分压影响。 测C13时，高压线芯线和屏蔽带高压，CX线芯线和屏蔽都是低压。

测C2时，高压线芯线和屏蔽、CX线芯线和屏蔽都是低压。 三、为什么先测量C13，再测量C2

大家知道，C13电容量较小，约2万pF；c2电容量较大，至少4万pF；CN为50pF标准电容器。测量C13时，C2和内CN串连当作标准电容器，根据电容串联公式C串=(C2CN)/(C2+CN)，由于C2>>CN，C串≈CN，这样C2对测量结果影响较小，可忽略不计。反之，如果先测C13，因C13容量较小，和内CN串连后，会把C13的介损加进去，造成标准臂介损增大，引起C2介损减小，造成测量误差。

四、自激法时高压线拖地会引起介损增大

自激法时高压线应悬空不能接触地面，否则其对地附加介损会引起介损增大，可用细电缆连接高压插座与CVT试品并吊起。