模电第一章练习习题 下载本文

内容发布更新时间 : 2024/11/1 7:09:00星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

第一章 常用半导体器件

自 测 题

一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素,可将其改型为N型半导体。( √ )

(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( √ )

(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 ( × ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( √ )

(6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( × )

解:

二、选择正确答案填入空内。

(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏

(4)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解:(1)A (2)C (3)B (4)A C

第一章题解-1

三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。

图T1.3

解:UO1≈1.3V,UO2=0,UO3≈-1.3V,UO4≈2V,UO5≈1.3V, UO6≈-2V。

四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。

图T1.4

解:(a)图能击穿稳压,UO1=6V;(b)图不能击穿,靠电阻分压,UO2=5V。

第一章题解-2

五、电路如图T1.5所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。试问: (1)Rb=50kΩ时,uO=? (2)若T临界饱和,则Rb≈? 解:(1)Rb=50kΩ时,基极电流、集电极电流和管压降分别为

IB?

VBB?UBE?26μA RbIC?? IB?2.6mAUCE?VCC?ICRC?2V

所以输出电压UO=UCE=2V。 图T1.5 (2)设临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以

ICmax?VCC?UCES?2.86mARcICmax I??28.6?ABmax?

Rb?VBB?UBE?45.4k?IBmax 六.测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示,它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。

表T1.7

管 号 T1 T2 T3

解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态,如解表T1.7所示。

解表T1.7

第一章题解-3

UGS(th)/V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态